IGBT的使用综合性能是非常优越的，决非其它功率器件所能替代的。兼MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
1、IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
2、IGBT综合了两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
1、换上新的IGBT管和电源保险丝，并断开加热线盘的一端引脚。
2、将电磁灶的电源插头插在自制维修排插上，然后通电试验，此时若自制排插上的300W灯泡不亮，则说明全桥整流块和高压滤波电容等组成的高压电路正常；若灯泡点亮，则说明还有击穿或漏电元件，这时应重点检查更换全桥整流块或高压滤波电容等，直至通电时灯泡不亮为止。
3、将断开的加热线盘引脚接好后。再通电试验，若灯泡仍点亮，则说明IGBT管有过流故障，其故障原因一是IGBT管自身不良，二是IGBT管的驱动电路有故障，使IGBT管处于长时间的饱和导通状态，这时必须迅速切断电源，进行深入检查。否则即使有串联灯泡保护，时间一长也极易击穿IGBT管，此时若自制排插上的灯泡不亮，则说明高压供电和IGBT管输出电路基本正常。
4、扣上灶盖，放上铁质锅体，通电进行加热试验，此时自制排插上的灯泡有规律的闪亮，则说明电磁灶已经修复；若灯泡长亮(不管亮度如何)或不亮，则说明整机电路中仍有故障，应进一步检修，直到通电加热时灯泡闪亮为止。
5、上述检修正常后去掉自制维修排插，将电磁炉电源插头直接插入市网电源插座，即可安全使用。
1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因；
2、变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通；
3、驱动不足。驱动不足也即驱动电压偏低，容易使IGBT管进入放大状态，IGBT管的功耗大幅增加，IGBT管将迅速烧毁。
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