IGBT不是软件。
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷；内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
静态特性：ＩＧＢＴ 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。ＩＧＢＴ 的伏安特性是指以栅源电压Ｕｇｓ 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ｕｇｓ 的控制，Ｕｇｓ 越高， Ｉｄ 越大。它与ＧＴＲ 的输出特性相似。也可分为饱和区１ 、放大区２ 和击穿特性３ 部分。在截止状态下的ＩＧＢＴ ，正向电压由Ｊ２ 结承担，反向电压由Ｊ１结承担。如果无Ｎ＋缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入Ｎ＋缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了ＩＧＢＴ 的某些应用范围。
IGBT的使用综合性能是非常优越的，决非其它功率器件所能替代的。兼MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
1、换上新的IGBT管和电源保险丝，并断开加热线盘的一端引脚。
2、将电磁灶的电源插头插在自制维修排插上，然后通电试验，此时若自制排插上的300W灯泡不亮，则说明全桥整流块和高压滤波电容等组成的高压电路正常；若灯泡点亮，则说明还有击穿或漏电元件，这时应重点检查更换全桥整流块或高压滤波电容等，直至通电时灯泡不亮为止。
3、将断开的加热线盘引脚接好后。再通电试验，若灯泡仍点亮，则说明IGBT管有过流故障，其故障原因一是IGBT管自身不良，二是IGBT管的驱动电路有故障，使IGBT管处于长时间的饱和导通状态，这时必须迅速切断电源，进行深入检查。否则即使有串联灯泡保护，时间一长也极易击穿IGBT管，此时若自制排插上的灯泡不亮，则说明高压供电和IGBT管输出电路基本正常。
4、扣上灶盖，放上铁质锅体，通电进行加热试验，此时自制排插上的灯泡有规律的闪亮，则说明电磁灶已经修复；若灯泡长亮(不管亮度如何)或不亮，则说明整机电路中仍有故障，应进一步检修，直到通电加热时灯泡闪亮为止。
5、上述检修正常后去掉自制维修排插，将电磁炉电源插头直接插入市网电源插座，即可安全使用。
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