男菱形脸适合什么发型设计
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1、换上新的IGBT管和电源保险丝,并断开加热线盘的一端引脚。
2、将电磁灶的电源插头插在自制维修排插上,然后通电试验,此时若自制排插上的300W灯泡不亮,则说明全桥整流块和高压滤波电容等组成的高压电路正常;若灯泡点亮,则说明还有击穿或漏电元件,这时应重点检查更换全桥整流块或高压滤波电容等,直至通电时灯泡不亮为止。
3、将断开的加热线盘引脚接好后。再通电试验,若灯泡仍点亮,则说明IGBT管有过流故障,其故障原因一是IGBT管自身不良,二是IGBT管的驱动电路有故障,使IGBT管处于长时间的饱和导通状态,这时必须迅速切断电源,进行深入检查。否则即使有串联灯泡保护,时间一长也极易击穿IGBT管,此时若自制排插上的灯泡不亮,则说明高压供电和IGBT管输出电路基本正常。
4、扣上灶盖,放上铁质锅体,通电进行加热试验,此时自制排插上的灯泡有规律的闪亮,则说明电磁灶已经修复;若灯泡长亮(不管亮度如何)或不亮,则说明整机电路中仍有故障,应进一步检修,直到通电加热时灯泡闪亮为止。
5、上述检修正常后去掉自制维修排插,将电磁炉电源插头直接插入市网电源插座,即可安全使用。
1、环境温度。环境温度高,将延长IGBT管的判断时间,使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄,甚至导致直通。这就是在夏天,模块烧坏的故障率偏高的原因;
2、变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大,也会延长IGBT管的关断时间,导致直通;
3、驱动不足。驱动不足也即驱动电压偏低,容易使IGBT管进入放大状态,IGBT管的功耗大幅增加,IGBT管将迅速烧毁。
IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
静态特性:IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。
1、IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
2、IGBT综合了两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷;内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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